拓扑绝缘体 BiSbTe1.25Se1.75 的能带结构
材料科学
2023-10-31 v1
摘要
我们给出了四元拓扑绝缘体(TI) BiSbTe1.25Se1.75 (BSTS) 的角分辨光电子能谱(ARPES)和密度泛函理论结果，证实了该化合物中表面态能带(SSBs)的非平庸拓扑性质。我们发现，对终止表面的原子组成敏感的 SSBs 具有部分三维特征。我们对能带弯曲(BB)效应的详细研究表明，在 BSTS 中，狄拉克点(DP)相对于 Bi2Se3 偏移超过两倍才达到饱和。BSTS 中更强的 BB 可能源于表面电荷屏蔽的差异。从 ARPES 数据的动量密度曲线(MDCs)中，我们获得了能量色散关系，显示 BSTS 中费米面的翘曲强度介于 Bi2Se3 和 Bi2Te3 之间，并且可通过控制硫族/氮族原子比例进行调控。我们的实验还揭示，BB 效应的性质对新鲜表面暴露于各种气体物种高度敏感。这些发现对于在技术应用中调控拓扑绝缘体中的 DP 具有重要意义。
引用
@article{arxiv.2310.18922,
title = {Band Structure of Topological Insulator BiSbTe1.25Se1.75},
author = {H. Lohani and P. Mishra and A. Banerjee and K. Majhi and R. Ganesan and U. Manju and D. Topwal and P. S. Anil Kumar and B. R. Sekhar},
journal= {arXiv preprint arXiv:2310.18922},
year = {2023}
}