Cs 覆盖拓扑绝缘体 Sb2Te3(0001) 表面的单一狄拉克锥
介观与纳米尺度物理
2015-06-11 v1 材料科学
摘要
利用角分辨光电子能谱，我们研究了三维拓扑绝缘体 (TI) Sb2Te3(0001) 的表面电子结构。我们的数据显示，在体能隙中存在一个拓扑表面态，其狄拉克点位于费米能级之上。在 Sb2Te3(0001) 上吸附 Cs 原子导致电子价带态发生向下能量移动，并在约 200 meV 处饱和。在饱和覆盖度下，线性色散表面态的狄拉克点位于费米能级附近。因此，Cs/Sb2Te3 界面的电子结构与先前研究的基于同构化合物 Bi2Se3 的金属-TI 界面显著不同，这表明原子组成在这些异质系统中至关重要。
引用
@article{arxiv.1209.4263,
title = {Single Dirac-cone on the Cs-covered topological insulator surface Sb2Te3(0001)},
author = {Christoph Seibel and Henriette Maaß and Minoru Ohtaka and Sebastian Fiedler and Christian Jünger and Chul-Hee Min and Hendrik Bentmann and Kazuyuki Sakamoto and Friedrich Reinert},
journal= {arXiv preprint arXiv:1209.4263},
year = {2015}
}
备注
5 pages, 4 figures