三维拓扑绝缘体 Bi$_{2}$Se$_{3}$ 中通过体连续态的表面散射
介观与纳米尺度物理
2011-09-30 v3
摘要
我们对三维拓扑绝缘体 BiSe 的表面进行了扫描隧道显微镜和微分隧道电导 () 成像。对 图像进行快速傅里叶变换后，在 Dirac 节点附近显示出电子干涉图样，尽管普遍认为在体能隙区域背散射被很好地抑制。将当前实验结果与理论和表面及体能带结构进行比较，表明电子干涉是通过 Dirac 节点附近的表面态与体连续态之间的散射发生的。
引用
@article{arxiv.1106.2681,
title = {Surface Scattering via Bulk Continuum States in the 3D Topological Insulator Bi$_{2}$Se$_{3}$},
author = {Sunghun Kim and M. Ye and K. Kuroda and Y. Yamada and E. E. Krasovskii and E. V. Chulkov and K. Miyamoto and M. Nakatake and T. Okuda and Y. Ueda and K. Shimada and H. Namatame and M. Taniguchi and A. Kimura},
journal= {arXiv preprint arXiv:1106.2681},
year = {2011}
}
备注
5 pages, 4 figures