利用低能 Na$^+$ 离子散射探测 Bi$_2$Te$_3$ 中拓扑表面态电子的空间分布
介观与纳米尺度物理
2018-02-14 v3
摘要
BiTe 是一种拓扑绝缘体，其独特性质源于带隙中的拓扑表面态。散射的低能 Na 的中和作用对引起局部表面电势不均匀性的偶极子很敏感。当从 Te 散射时，这种中和作用比从 Bi 散射时更大，表明在 Te 位点存在向上的偶极子，而在 Bi 上方存在向下的偶极子。这些偶极子是由拓扑表面态中导电电子的空间分布引起的。该结果展示了如何应用这种碱金属离子散射方法，为填充表面态中电子的空间分布提供直接的实验证据。
引用
@article{arxiv.1707.09251,
title = {Spatial Distribution of Topological Surface State Electrons in Bi$_2$Te$_3$ Probed by Low Energy Na$^+$ Ion Scattering},
author = {Weimin Zhou and Haoshan Zhu and Jory A. Yarmoff},
journal= {arXiv preprint arXiv:1707.09251},
year = {2018}
}
备注
17 pages, 3 figures. arXiv admin note: text overlap with arXiv:1612.05613