无序 Bi$_{2}$Te$_{3}$ 中的体散射与表面散射：由准粒子干涉探测

我们通过在低温下对拓扑绝缘体 Bi$_{2}$Te$_{3}$进行扫描隧道显微镜和光谱学，研究了其电子性质。我们获得了在不同能量下对拓扑表面 Dirac 电子的高分辨率准粒子干涉数据。对表面和体电子态进行了旋选密度计算，以解释观察到的准粒子干涉数据。我们的晶体的拓扑性质通过消除背向散射以及主导散射矢量的线性能量色散得以证明。此外，我们检测到非色散散射模式，这些模式我们与体-表面散射相关联，从而允许我们基于准粒子干涉数据对体能隙范围进行近似确定。对高达 15 T 磁场下的微观电导图进行了测量，但未观察到显著的修正。