拓扑绝缘体 Cu_(x)Bi_(2)Te_(3) 中的多带准粒子干涉
介观与纳米尺度物理
2019-01-29 v3 材料科学
强关联电子
摘要
我们报告了关于掺杂拓扑绝缘体 Cu0.2Bi2Te3 的角分辨光电子能谱实验与扫描隧道谱测量结果。基于局域态密度高分辨电导图的准粒子干涉(QPI)测量表明,准粒子散射存在三个不同的能量窗口。利用该体系的模型哈密顿量,我们识别出两个新的散射通道:第一条为表面态与导带之间的散射,第二条为导带态之间的散射。我们还观察到实空间密度调制以三重对称性为主,这排除了简单各向同性杂质势的可能性。通过考虑一种与主要以 Bi-Te 反位缺陷作为散射中心相一致的修正散射势,我们获得了实验与理论之间的一致。
引用
@article{arxiv.1110.4406,
title = {Multiband quasiparticle interference in the topological insulator Cu_(x)Bi_(2)Te_(3)},
author = {E. van Heumen and G. A. R. van Dalum and J. Kaas and N. de Jong and J. Oen and Y. K. Huang and A. K. Mitchell and L. Fritz and M. S. Golden},
journal= {arXiv preprint arXiv:1110.4406},
year = {2019}
}
备注
Updated the discussion of results. New model for impurity scattering added to the discussion. Corrected labelling of some figures