拓扑绝缘体Bi$_2$Te$_3$表面的准粒子干涉
介观与纳米尺度物理
2010-09-15 v4
摘要
通过T矩阵形式，研究了光谱成像扫描隧道显微镜中大能隙拓扑绝缘体BiTe表面态的准粒子干涉。考虑了扭曲六边形等能轮廓上的标量势散射和自旋轨道散射。虽然背散射被时间反演对称性禁止，但其他散射是允许的，并且强烈依赖于等能轮廓上k点处本征函数的自旋构型。我们分析中发现的特征散射波矢与最近的实验结果吻合良好。
引用
@article{arxiv.0910.1668,
title = {Quasiparticle Interference on the Surface of the Topological Insulator Bi$_2$Te$_3$},
author = {Wei-Cheng Lee and Congjun Wu and Daniel P. Arovas and Shou-Cheng Zhang},
journal= {arXiv preprint arXiv:0910.1668},
year = {2010}
}
备注
5 pages, 2 figures, Some typos are corrected