Bi$_{2}$Te$_{2}$Se 中未占据的拓扑表面态
介观与纳米尺度物理
2015-06-15 v1
摘要
利用扫描隧道显微镜/谱学研究了拓扑绝缘体 BiTeSe 清洁表面的拓扑表面态随偏压变化的散射行为。研究发现，谱中未占据部分恒定能量轮廓的强翘曲导致了自旋选择性散射。拓扑表面态在未占据范围内持续存在于远高于狄拉克点的能量处，并与体导带共存。这一发现阐明了宽能量范围内的自旋和电荷动力学，并为设计光自旋电子器件开辟了途径。
引用
@article{arxiv.1305.2134,
title = {Unoccupied topological surface state in Bi$_{2}$Te$_{2}$Se},
author = {Munisa Nurmamat and E. E. Krasovskii and K. Kuroda and M. Ye and K. Miyamoto and M. Nakatake and T. Okuda and H. Namatame and H. Namatame and M. Taniguchi and E. V. Chulkov and K. A. Kokh and O. E. Tereshchenko and A. Kimura},
journal= {arXiv preprint arXiv:1305.2134},
year = {2015}
}
备注
5 pages, 4 figures