在GeBi$_{2}$Te$_{4}$中观测到高度自旋极化的拓扑表面态
介观与纳米尺度物理
2015-06-05 v1
摘要
利用最先进的自旋和角分辨光电子能谱，研究了新发现的三维拓扑绝缘体GeBiTe的拓扑表面态的自旋极化。结果表明，晶体中的无序对表面态自旋极化的影响较小，在体能隙区域（约180 meV）的狄拉克点附近，自旋极化超过75%。这一关于GeBiTe的新发现不仅有望实现高度自旋极化的表面隔离输运，而且为其热电和热磁性能增添了新的功能。
引用
@article{arxiv.1207.2088,
title = {Observation of a Highly Spin Polarized Topological Surface State in GeBi$_{2}$Te$_{4}$},
author = {K. Okamoto and K. Kuroda and H. Miyahara and K. Miyamoto and T. Okuda and Z. S. Aliev and M. B. Babanly and I. R. Amiraslanov and K. Shimada and H. Namatame and M. Taniguchi and E. V. Chulkov and A. Kimura},
journal= {arXiv preprint arXiv:1207.2088},
year = {2015}
}
备注
5 pages, 4 figures