拓扑绝缘体表面态的自旋与电荷结构
介观与纳米尺度物理
2012-09-04 v4
摘要
我们从三维拓扑绝缘体 的连续介质描述出发 [Zhang {\em et al.}, Nat. Phys. 5, 438 (2009)]，研究了其表面态的自旋与电荷密度。由于晶体两个亚晶格贡献的错位，除 111 表面以外的其他表面上的自旋结构具有额外的复杂性。对于这些表面，我们预期在自旋分辨 ARPES 实验中会观察到新特征，这些特征由各个亚晶格上电子的非螺旋自旋极化以及两个亚晶格相干发射的电子波的干涉所引起。我们还表明，表面态能谱中 Dirac 交叉点的位置取决于界面的取向。这导致了在晶体不同面之间的边缘处产生接触电势和表面电荷重新分布。
引用
@article{arxiv.1111.3650,
title = {Spin and Charge Structure of the Surface States in Topological Insulators},
author = {P. G. Silvestrov and P. W. Brouwer and E. G. Mishchenko},
journal= {arXiv preprint arXiv:1111.3650},
year = {2012}
}
备注
Use the correct spin operator. Changes affect the surface states spin structure, but not the spectrum