拓扑绝缘体带：表面态与动力学响应
材料科学
2011-12-13 v2 介观与纳米尺度物理
摘要
我们从理论上研究了具有实际矩形截面的拓扑绝缘体带的电荷与自旋极化分布。由于在两个横向方向上受限，表面态在体能隙内离散化为一系列子能带。电荷与自旋分布表现出不同于理想拓扑表面态的有趣特征。我们分析了四种不同表面态融合为一个新实体的效应。研究了该带的光学电导与动力学自旋磁化率。与单一理想表面不同，带的光学响应与动力学自旋磁化率之间没有清晰的对应关系。动力学自旋磁化率可用于识别更适用于 BiSe 的模型。
引用
@article{arxiv.1111.4614,
title = {Topological insulator ribbon: Surface states and dynamical response},
author = {Lei Hao and Peter Thalmeier and T. K. Lee},
journal= {arXiv preprint arXiv:1111.4614},
year = {2011}
}
备注
6 pages, 4 figures, references updated