拓扑绝缘体表面的自旋和电荷输运
介观与纳米尺度物理
2013-05-29 v3
摘要
我们推导了描述三维拓扑绝缘体螺旋金属表面上自旋-电荷耦合输运的扩散方程。这些方程的主要特征是自旋-电荷耦合的幅度很大，这导致了有趣且可观测的效应。特别地，我们预测了一种新的磁电阻效应，该效应表现为放置在螺旋金属顶部的铁磁自旋极化电极和非磁性电极之间电压降的非欧姆修正。该修正与铁磁电极的自旋极化和两个电极之间的电荷电流的叉积成正比。我们还展示了通过施加栅极电压对该效应的可调性，这使得所提出的器件可以作为晶体管运行。
引用
@article{arxiv.1005.1654,
title = {Spin and Charge Transport on the Surface of a Topological Insulator},
author = {A. A. Burkov and D. G. Hawthorn},
journal= {arXiv preprint arXiv:1005.1654},
year = {2013}
}
备注
4 pages, 1 figure; published version