正常与超导拓扑绝缘体中的自旋螺旋输运
介观与纳米尺度物理
2013-02-08 v4
摘要
在拓扑绝缘体 (TI) 中，电子输运的特性从材料内部的绝缘性变化到其表面附近的金属性。然而，与普通金属不同，TI 中的导电表面态受到拓扑保护，并以自旋螺旋性为特征，即电子自旋方向锁定于动量方向。在本文中，我们回顾了关于二维 (2D) 和三维 (3D) TI 中电子输运及相关现象的最新理论和实验工作的选定主题。本综述提供了关于 HgTe 量子阱中量子自旋霍尔效应的聚焦入门讨论，以及 3D TI 的输运性质，如表面弱反局域化、半整数量子霍尔效应、s + p 波诱导超导性、超导克莱因隧穿、拓扑安德烈夫束缚态及相关的主要娜中隙态。TI 的这些性质具有实际意义，为指导寻找拓扑自旋电子学途径提供了方向。
引用
@article{arxiv.1208.1466,
title = {Spin-helical transport in normal and superconducting topological insulators},
author = {G. Tkachov and E. M. Hankiewicz},
journal= {arXiv preprint arXiv:1208.1466},
year = {2013}
}
备注
Invited Topical Review on electron transport in 2D and 3D topological insulators, with focus on the quantum spin-Hall effect, weak antilocalization, half-integer quantum Hall effect, s- and p-wave induced superconductivity and superconducting Klein tunneling; 18 pages, 14 figures; accepted for publication in Physica Status Solidi B