应变下拓扑绝缘体的量子磁输运性质
介观与纳米尺度物理
2016-03-14 v1
摘要
最近实验揭示，应变块体HgTe可被视为三维拓扑绝缘体（TI）。受此启发，我们探索了应变对磁场中HgTe表面态磁输运性质的影响。我们解析推导了零频霍尔电导率和碰撞电导率，发现与载流子表面指数相关的衬底诱导应变，能够导致良好分离的表面量子霍尔平台和Shubnikov-de Haas振荡。这些效应可用于产生和探测表面极化。
引用
@article{arxiv.1603.03584,
title = {Quantum magnetotransport properties of topological insulators under strain},
author = {Ning Ma},
journal= {arXiv preprint arXiv:1603.03584},
year = {2016}
}