拓扑绝缘体Bi2Te3纳米线的量子电输运性质
介观与纳米尺度物理
2015-11-03 v1
摘要
我们研究了拓扑绝缘体Bi2Te3纳米线表面电子在磁输运研究中的量子输运性质。尽管纳米线是通过相对粗糙的电化学沉积方法合成的，但由于表面电子通道的高度相干性，观测到了相位为0和π的清晰阿哈罗诺夫-玻姆振荡。振荡幅度呈现指数温度依赖性，表明相位相干长度 与温度成反比，这与准弹道系统类似。此外，通过成功从磁电导数据中提取表面贡献，我们利用一维局域化理论对表面通道进行了弱反局域化分析，为 的温度依赖性提供了支持。
引用
@article{arxiv.1511.00089,
title = {Quantum electrical transport properties of topological insulator Bi2Te3 nanowires},
author = {Hong-Seok Kim and Ho Sun Shin and Joon Sung Lee and Chi Won Ahn and Jae Yong Song and Yong-Joo Doh},
journal= {arXiv preprint arXiv:1511.00089},
year = {2015}
}