beta-Ag2Se 纳米线中拓扑表面态的量子电子输运
介观与纳米尺度物理
2016-04-27 v1
摘要
采用化学气相输运法合成了单晶 \beta-Ag2Se 纳米结构，这是一类新型 3D 拓扑绝缘体（TIs）。通过测量包括弱反局域化效应、Aharonov-Bohm 振荡和 Shubnikov-de Haas 振荡在内的电子输运性质，验证了拓扑表面态。第一性原理能带计算表明，\b{eta}-Ag2Se 中的能带反转是由强自旋轨道耦合和 Ag-Se 成键杂化引起的。这些广泛的研究为具有各向异性 Dirac 锥的银硫族拓扑绝缘体提供了有意义的新信息，这可能对自旋电子学应用有用。
引用
@article{arxiv.1601.01551,
title = {Quantum electronic transport of topological surface states in beta-Ag2Se nanowire},
author = {Jihwan Kim and Ahreum Hwang and Sang-Hoon Lee and Seung-Hoon Jhi and Sunghun Lee and Yun Chang Park and Si-in Kim and Hong-Seok Kim and Yong-Joo Doh and Jinhee Kim and Bongsoo Kim},
journal= {arXiv preprint arXiv:1601.01551},
year = {2016}
}
备注
12 pages, 5 figures