β-Ag2Te中拓扑表面态的栅极调谐量子振荡
介观与纳米尺度物理
2014-05-19 v1
摘要
我们报告了β-Ag2Te中存在具有大电场可调性和高迁移率的拓扑表面态的强实验证据。在β-Ag2Te纳米片中观察到了显著的二维SdH振荡。对于较宽的纳米片，利用朗道能级扇形图确定贝里相位接近π，而对于较窄的纳米片，观察到迄今为止拓扑绝缘体中最大的电场双极性效应（约2500%）。π贝里相位以及纳米片中量子振荡随栅极电压（Vg）的演化强烈表明β-Ag2Te中存在拓扑表面态。此外，当费米能级接近狄拉克点时，窄Ag2Te纳米片的迁移率约为3×10^4 cm^2s^{-1}V^{-1}。具有大电可调性和高迁移率的拓扑表面态的实现表明β-Ag2Te是一种有前景的拓扑绝缘体，可用于基础研究。
引用
@article{arxiv.1405.4078,
title = {Gate-tuned quantum oscillations of topological surface states in beta-Ag2Te},
author = {Azat Sulaev and Weiguang Zhu and Kie Leong Teo and Lan Wang},
journal= {arXiv preprint arXiv:1405.4078},
year = {2014}
}
备注
25 pages, 6 figures