Bi2O2Se 纳米线中栅极可调的 h/e 周期磁电阻振荡
介观与纳米尺度物理
2019-12-20 v2
摘要
我们报道了一种新型材料——Bi2O2Se 半导体纳米线的成功合成及其低温电子输运研究。我们意外地观测到了纵向磁场中栅极可调的 0- 与 -h/e（h 为普朗克常数，e 为元电荷）周期电阻振荡，展示了 Bi2O2Se 纳米线中新颖的准弹道、相位相干表面态。通过计算态密度与实验数据的高度吻合，我们阐明其机制为沿纳米线圆周形成的一维子带，而非通常考虑的 Aharonov-Bohm 干涉。我们提出了一个基于与复杂能带结构相关的向下能带弯曲的定性物理图像来描述表面态的形成。
引用
@article{arxiv.1912.02960,
title = {Gate-tunable h/e-period magnetoresistance oscillations in Bi2O2Se nanowires},
author = {Jianghua Ying and Guang Yang and Zhaozheng Lyu and Guangtong Liu and Zhongqing Ji and Jie Fan and Changli Yang and Xiunian Jing and Huaixin Yang and Li Lu and Fanming Qu},
journal= {arXiv preprint arXiv:1912.02960},
year = {2019}
}
备注
Corrected errors in calculations. Accepted by PRB