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通过液体门控调控拓扑绝缘体 Bi$_2$Te$_2$Se 中表面狄拉克电子的量子振荡

介观与纳米尺度物理 2013-07-24 v3 强关联电子

摘要

在 Bi2_2Te2_2Se 中,利用离子液体门控可使源于表面狄拉克费米子的量子振荡周期增加 6 倍。在大门控电压下,费米能在 14 特斯拉磁场中达到 NN = 1 朗道能级。这使得能够精确测量狄拉克谱所预测的 12\frac12 相移。一个令人惊讶的结果是,液体门控显著增强了表面迁移率。通过分析霍尔电导率,我们表明这种增强仅发生在其中一个表面。我们提供的证据表明门控过程是完全可逆的(因此与由积累的阴离子层产生的 EE 场引起的能带弯曲一致)。除了表面载流子外,该实验还给出了杂质带中体载流子的迁移率和密度。通过分析电荷积累与门控电压的关系,我们还获得了耗尽层宽度和面耗尽电容 Cd/AC_d/A 的估计值。Cd/AC_d/A 的值意味着耗尽区内的电子极化率增强。

关键词

引用

@article{arxiv.1211.1906,
  title  = {Tuning the quantum oscillations of surface Dirac electrons in the topological insulator Bi$_2$Te$_2$Se by liquid gating},
  author = {Jun Xiong and Yuehaw Khoo and Shuang Jia and R. J. Cava and N. P. Ong},
  journal= {arXiv preprint arXiv:1211.1906},
  year   = {2013}
}

备注

11 pages, 11 figures (6 new), In v3, text expanded, 2 Appendices