栅极可调拓扑绝缘体 Bi2Se3 薄膜的扫描隧道显微镜研究
介观与纳米尺度物理
2013-04-15 v1 材料科学
摘要
通过电场控制拓扑绝缘体（TI）的载流子密度，极大地拓展了这些材料的实际应用潜力。然而，将低温局部探针研究与栅极可调 TI 器件相结合仍具挑战性。我们通过对在带有预图案化电极的 SrTiO3 衬底上原位分子束外延生长的 Bi2Se3 薄膜进行扫描隧道显微镜与谱学测量，克服了这一限制。利用这种栅极调控方法，我们能够在 3 nm 厚的 Bi2Se3 器件上将顶面态的费米能级移动 250 meV。我们报道了关于费米能级处表面态色散、带隙以及电子结构的场效应研究。
引用
@article{arxiv.1301.3935,
title = {Scanning Tunneling Microscopy of Gate Tunable Topological Insulator Bi2Se3 Thin Films},
author = {Tong Zhang and Niv Levy and Jeonghoon Ha and Young Kuk and Joseph A. Stroscio},
journal= {arXiv preprint arXiv:1301.3935},
year = {2013}
}