通过将费米能级调至 Bi2Se3 带隙中增强场效应迁移率
介观与纳米尺度物理
2015-06-04 v2
摘要
通过消除常规制备工艺，我们在悬浮纳米器件中保留了钙掺杂 Bi2Se3 单晶的体态绝缘特性，这由低温下电阻率的激活温度依赖性所指示。我们执行低能电子束辐照 (<16 keV) 和静电栅控以控制载流子密度，从而控制纳米器件中的费米能级位置。在轻微 p 型掺杂的 Bi2-xCaxSe3 器件中，将费米能级从体价带连续调至带隙揭示了场效应迁移率的显著增强（>10 倍），这表明拓扑绝缘体带隙中狄拉克费米子表面态所预期的背散射受到抑制。
引用
@article{arxiv.1204.2017,
title = {Field-effect mobility enhanced by tuning the Fermi level into the band gap of Bi2Se3},
author = {Peng Wei and Zhiyong Wang and Xinfei Liu and Vivek Aji and Jing Shi},
journal= {arXiv preprint arXiv:1204.2017},
year = {2015}
}