掺杂拓扑绝缘体Bi2Se3和Bi2Te3诱导的超导电性与非金属性
强关联电子
2015-05-19 v1
摘要
我们表明，通过Ca掺杂Bi2Se3拓扑绝缘体，费米能级可以被精细调控至落入带隙内，从而抑制体电导率。获得了非金属性的Bi2Se3晶体。另一方面，通过铜插层进入Bi2Se3层间的范德瓦尔斯间隙，Bi2Se3拓扑绝缘体也可以被诱导成为体超导体，其Tc约为3.8 K。类似地，通过轻微改变Te含量，可将金属性的Bi2Te3生长态晶体转变为非金属性晶体。当Bi2Te3拓扑绝缘体与Pd反应形成PdxBi2Te3类材料时，显示出少量超导电性，Tc约为5.5 K。
引用
@article{arxiv.1006.0317,
title = {Superconductivity and non-metallicity induced by doping the topological insulators Bi2Se3 and Bi2Te3},
author = {Y. S. Hor and J. G. Checkelsky and D. Qu and N. P. Ong and R. J. Cava},
journal= {arXiv preprint arXiv:1006.0317},
year = {2015}
}