层状拓扑绝缘体 Bi2Se3 中由 Sr 插层引起的超导性
超导电性
2015-05-21 v1 材料科学
强关联电子
摘要
在拓扑绝缘体 Bi2Se3 的范德瓦尔斯键合层之间的锶插层被发现可诱导超导性，最高 Tc 为 2.9 K。对最优掺杂样品 Sr0.1Bi2Se3 单晶的输运测量显示弱各向异性（1.5），且当磁场垂直于样品 c 轴施加时，上限临界场 Hc2(0) 等于 2.1 T。金兹堡-朗道相干长度为 Xi-ab = 15.3 {\AA} 和 Xi_c = 10.2 {\AA}。下限临界场和零温穿透深度 Lambda(0) 分别估计为 0.35 mT 和 1550 nm。霍尔和塞贝克测量证实了电子传导的主导地位，且载流子浓度在 10 K 时低得惊人（n = 1.85 x 10^19 cm-3），表明非常规超导的可能性。
引用
@article{arxiv.1505.05394,
title = {Superconductivity by Sr Intercalation in Layered Topological Insulator Bi2Se3},
author = {Shruti and V. K. Maurya and P. Neha and P. Srivastava and S. Patnaik},
journal= {arXiv preprint arXiv:1505.05394},
year = {2015}
}