拓扑绝缘体 Bi2Se3 中压力诱导的非常规超导相
超导电性
2013-08-29 v3
摘要
我们在高达 50 GPa 的外加压力下，对单晶 Bi2Se3 进行了 simultaneous 低温电阻率和霍尔效应测量。随着压力的变化，观察到超导性在 11 GPa 以上开始显现，其转变温度 Tc 和上临界场 Hc2 均随压力增加而上升，直至 30 GPa 时分别达到 7 K 和 4 T 的最大值。随着压力进一步增加，Tc 异常地保持恒定直至所达到的最高压力。相反，载流子浓度随压力连续增加，包括在 Tc 保持恒定的压力范围内增加了十倍。结合 Hc2 的准线性温度依赖性（超过了轨道极限和 Pauli 极限），Tc 异常停滞的压力依赖性表明 Bi2Se3 中存在一种压力诱导的非常规配对态，这在超导拓扑绝缘体中是独特的。
引用
@article{arxiv.1302.6488,
title = {Pressure-Induced Unconventional Superconducting Phase in the Topological Insulator Bi2Se3},
author = {K. Kirshenbaum and P. S. Syers and A. P. Hope and N. P. Butch and J. R. Jeffries and S. T. Weir and J. J. Hamlin and M. B. Maple and Y. K. Vohra and J. Paglione},
journal= {arXiv preprint arXiv:1302.6488},
year = {2013}
}
备注
8 pages with Supplemental Material, to appear in Phys. Rev. Lett