源自拓扑绝缘体的Tl_{0.6}Bi_{2}Te_{3}中的超导性
超导电性
2016-08-17 v1 介观与纳米尺度物理
材料科学
摘要
在源自拓扑绝缘体Bi2Te3的Tl_{0.6}Bi_{2}Te_{3}中发现了体超导性。观察到高达95%的超导体积分数（由比热确定），其Tc为2.28 K。载流子为p型，密度~1.8 x 10^{20} cm^{-3}。磁场下的电阻转变指向临界上场B_{c2}的非传统温度依赖性。晶体结构看似与Bi2Te3相同，但c晶格参数更短，这一点与Rietveld分析共同表明Tl离子被掺入而非插层。该材料是一个有趣的拓扑超导体候选，可能通过拓扑绝缘体固有的强自旋轨道耦合实现。
引用
@article{arxiv.1601.02877,
title = {Superconductivity in Tl_{0.6}Bi_{2}Te_{3} Derived from a Topological Insulator},
author = {Zhiwei Wang and A. A. Taskin and Tobias Froelich and Markus Braden and Yoichi Ando},
journal= {arXiv preprint arXiv:1601.02877},
year = {2016}
}
备注
9 pages, 5 figures (paper proper) + 2 pages, 3 figures (supporting information). Accepted for publication in Chemistry of Materials