SrxBi2Se3 中具有拓扑表面态的超导电性
超导电性
2015-09-01 v2
摘要
通过在 Bi2Se3 中插层碱土金属 Sr，在 Sr0.065Bi2Se3 中实现了具有大屏蔽体积分数（0.5 K 时约为 91.5%）的超导电性。对 Shubnikov-de Haas 振荡的分析证实了 Dirac 谱所预期的 1/2 位移，为表面态的存在提供了输运证据。重要的是，SrxBi2Se3 超导体在空气中稳定，使得 SrxBi2Se3 化合物成为研究拓扑超导电性的理想材料基础。
引用
@article{arxiv.1502.01105,
title = {Superconductivity with topological surface state in SrxBi2Se3},
author = {Zhongheng Liu and Xiong Yao and Jifeng Shao and Ming Zuo and Li Pi and Shun Tan and Changjin Zhang and Yuheng Zhang},
journal= {arXiv preprint arXiv:1502.01105},
year = {2015}
}
备注
12 pages, 4 figures, Accepted by J. Am. Chem. Soc. http://pubs.acs.org/doi/abs/10.1021/jacs.5b06815