CuxBi2Se3中的拓扑超导电性
超导电性
2011-11-16 v2 介观与纳米尺度物理
摘要
拓扑超导体（TSC）的特征在于拓扑保护的无能隙表面态，该表面态本质上是由马约拉纳费米子组成的安德烈夫束缚态。虽然TSC尚未被发现，但掺杂的拓扑绝缘体CuxBi2Se3（在约3 K以下超导）已被预测具有拓扑超导态。我们报告，在超导CuxBi2Se3的解理表面上进行的点接触谱呈现出一个零偏压电导峰（ZBCP），这标志着非常规超导电性。对所有可能超导态的理论考虑帮助我们得出结论，该ZBCP源于马约拉纳费米子，并为CuxBi2Se3中的拓扑超导电性提供了证据。此外，我们发现了一个在约20 K以下形成并与拓扑超导态共存的异常赝能隙。
引用
@article{arxiv.1108.1101,
title = {Topological Superconductivity in CuxBi2Se3},
author = {Satoshi Sasaki and M. Kriener and Kouji Segawa and Keiji Yada and Yukio Tanaka and Masatoshi Sato and Yoichi Ando},
journal= {arXiv preprint arXiv:1108.1101},
year = {2011}
}
备注
5 pages, 4 figures (paper proper) + 10 pages, 10 figures (supplemental material); final version accepted for publication in PRL