掺杂拓扑绝缘体费米面随载流子浓度的演化

E. Lahoud; E. Maniv; M. Petrushevsky; M. Naamneh; A. Ribak; S. Wiedmann; L. Petaccia; K. B. Chashka; Y. Dagan; A. Kanigel

doi:10.1103/PhysRevB.88.195107

掺杂拓扑绝缘体费米面随载流子浓度的演化

介观与纳米尺度物理 2014-03-07 v2 强关联电子

作者: E. Lahoud , E. Maniv , M. Petrushevsky , M. Naamneh , A. Ribak , S. Wiedmann , L. Petaccia , K. B. Chashka , Y. Dagan , A. Kanigel

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摘要

在理想的块体拓扑绝缘体 (TI) 中，受时间反演对称性保护的导电表面态包裹着绝缘晶体。然而，典型的 TI 材料 Bi2Se3 实际上从未表现出绝缘性；事实上它是一种相对良好的金属。尽管如此，由于其简单的能带结构和大的自旋轨道隙，它仍是所有 TI 中研究最广泛的系统。最近的研究表明，铜插层的 Bi2Se3 变为超导体，并被提议作为拓扑超导体 (TSC) 的实现。在此，我们结合使用了对费米面 (FS) 形状敏感的技术：Shubnikov-de Haas (SdH) 效应和角分辨光电子能谱 (ARPES)，以研究 FS 形状随载流子浓度 n 的演化。我们发现随着 n 的增加，FS 变得具有二维特征。这些结果对于理解 CuxBi2Se3 的超导性质至关重要。

关键词

拓扑绝缘体费米面载流子浓度 Bi2Se3 拓扑超导体 Shubnikov-de Haas 效应角分辨光电子能谱

引用

@article{arxiv.1310.1001,
  title  = {Evolution of the fermi surface of a doped topological insulator with carrier concentration},
  author = {E. Lahoud and E. Maniv and M. Petrushevsky and M. Naamneh and A. Ribak and S. Wiedmann and L. Petaccia and K. B. Chashka and Y. Dagan and A. Kanigel},
  journal= {arXiv preprint arXiv:1310.1001},
  year   = {2014}
}

备注

5 pages, 5 figures

掺杂拓扑绝缘体费米面随载流子浓度的演化

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关键词

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