最佳掺杂附近电子掺杂铜氧化物中的超导电性与拓扑费米面转变

我们在单带 Hubbard 哈密顿量框架下讨论了电子掺杂铜氧化物中费米面 (FS) 拓扑随掺杂的演化，其中假设反铁磁性与超导电性在均匀相中共存。在轻掺杂绝缘体中，费米面由围绕 $(\pi,0)$ 点的电子口袋组成。费米面拓扑的第一次变化发生在最佳掺杂区域，此时在节点点出现额外的空穴口袋。第二次拓扑变化发生在过掺杂区（$\sim18$），此时反铁磁性消失并形成以 $(\pi,\pi)$ 为中心的大金属费米面。最近在 Pr$_{2-x}$Ce$_{x}$CuO$_{4-\delta}$ (PCCO) 上进行的霍尔效应和穿透深度实验，以及对 Nd$_{2-x}$Ce$_{x}$CuO$_{4-\delta}$ (NCCO) 进行的多项光谱测量中，发现了这两次拓扑转变的证据。