Bi2Sr2CaCu2O8 随掺杂的费米面拓扑变化
超导电性
2009-11-11 v1
摘要
我们报道了 Bi2Sr2CaCu2O8 随掺杂的费米面拓扑变化的观测结果。通过从中度和高度过掺杂样品中收集高统计量 ARPES 数据，并将数据除以费米函数，我们回答了关于 Bi2Sr2CaCu2O8 在 (pi,0) 点附近的费米面形状这一长期存在的问题。对于中度过掺杂样品（Tc=80K），我们发现费米面的成键和反成键面均为空穴型。然而，对于对应于 Tc=55K 的掺杂水平，我们发现反成键面变为电子型。这一变化并不直接影响临界温度，因此也不直接影响超导性。然而，由于在 LSCO 和 Bi2Sr2Cu2O6 中也观察到了类似的费米面拓扑变化，这似乎是空穴掺杂超导体的普遍特征。不过，由于双层劈裂，该掺杂值远低于单层材料，这再次表明它与 Tc 无关。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0507106,
title = {The change of Fermi surface topology in Bi2Sr2CaCu2O8 with doping},
author = {A. Kaminski and S. Rosenkranz and H. M. Fretwell and M. R. Norman and M. Randeria and J. C. Campuzano and J-M. Park and Z. Z. Li and H. Raffy},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0507106},
year = {2009}
}