Bi(Pb)2212 费米面在掺杂依赖性中的研究
超导电性
2007-05-23 v1 强关联电子
摘要
我们系统地采用 ARPES 研究了无掺杂处理 Bi(Pb)2212 常态费米面 (FS) 的掺杂依赖性. 费米面拓扑在任何阶段都保持为洞状,未发生变化. 费米面面积未遵循常规 Tc 与 x 关系曲线,而是按约 0.05 个每 Cu 原子数的掺杂量下移,表明整个掺杂范围内都存在显著的层间 FS 分裂. 费米面宽度的强 k 依赖性显示为掺杂无关. 阴影 FS 的相对强度呈现与 Tc 相同的掺杂依赖性.
引用
@article{arxiv.cond-mat/0201485,
title = {Doping dependence of the Fermi surface in Bi(Pb)2212},
author = {A. A. Kordyuk and S. V. Borisenko and M. S. Golden and S. Legner and K. A. Nenkov and M. Knupfer and J. Fink and H. Berger and L. Forro and R. Follath},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0201485},
year = {2007}
}
备注
Extended version of cond-mat/0104294: Fig.3 with explicitly resolved bilayer splitting in underdoped Bi(Pb)2212 and Appendix are added. 7 pages with figures (revtex4)