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Pb 掺杂对 Bi$_2$Sr$_2$Ca$_2$Cu$_3$O$_{10}$ 结构与电子性质的影响

强关联电子 2016-03-23 v1

摘要

采用密度泛函理论(DFT)框架下的局域密度近似(LDA)与虚晶近似(VCA),以 H.Lin 等人在 Bi2212 化合物中实现的步骤为参考[Phys. Rev. Lett. 96 (2006) 097001],研究了 Bi2_2Sr2_2Ca2_2Cu3_3O10_{10} 化合物(Bi2223)中 Pb 掺杂对结构与电子性质的影响。结果表明,对于等于或超过 26% 的 Pb 掺杂浓度,Bi2223 中 Pb 掺杂剂的引入导致 Bi/Pb-O 能带向更高能量发生刚性位移,在不可约布里渊区高对称点 M\overline{\text{M}} 附近的费米能级处贡献为零,从而避免了费米面中出现所谓的 Bi-O 袋(pockets),这与角分辨光电子能谱(ARPES)和核磁共振(NMR)实验吻合良好,尽管仍观察到 Bi-O 键的轻微金属性,这可能与某些实验报道不一致。计算表明,结构性质的变化与费米面中 Bi-O 袋的存在与否相关。

关键词

引用

@article{arxiv.1509.06388,
  title  = {Effects of Pb doping on structural and electronics properties of Bi$_2$Sr$_2$Ca$_2$Cu$_3$O$_{10}$},
  author = {J. A. Camargo-Martínez and R. Baquero},
  journal= {arXiv preprint arXiv:1509.06388},
  year   = {2016}
}

备注

12 pages, 7 Figures, 1 table