化学计量掺杂对超导 Bi-O-S 化合物的影响
超导电性
2015-03-17 v4 强关联电子
摘要
新发现的 Bi-O-S 化合物在试图理解其电子性质方面仍然是一个谜。最近对 BiOS 的研究表明，它是两相的混合物：BiOS和 BiOS，其中后者具有超导性 [W. A. Phelan et al., J. Am. Chem. Soc. 135, 5372 (2013)]。利用密度泛函理论，我们探索了这两相的电子结构以及堆垛层错引入的影响。我们的结果表明，S层对铋 - 硫能带进行了掺杂。费米能级处的能带具有清晰的二维特征。一个能带流形局限于两个相邻的方形晶格铋 - 硫平面，第二个流形局限于硫二聚体的方形晶格。我们表明，堆垛中缺陷的引入不会影响电子结构。最后，我们还表明，在所考虑的能量尺度下，自旋轨道耦合对费米能级附近的态没有显著影响。
引用
@article{arxiv.1305.1201,
title = {Effects of stoichiometric doping in superconducting Bi-O-S compounds},
author = {Corentin Morice and Emilio Artacho and Sian E. Dutton and Daniel Molnar and Hyeong-Jin Kim and Siddharth S. Saxena},
journal= {arXiv preprint arXiv:1305.1201},
year = {2015}
}