La1-xMxOBiS2 (M = Ti, Zr, Hf, Th) 体系中电子掺杂诱导的超导电性
超导电性
2013-05-22 v1
摘要
我们报道了一种在基于 BiS 的化合物 LaOBiS 中诱导超导电性的策略。不同于用 F 取代 O，我们通过用四价 Th、Hf、Zr 和 Ti 取代三价 La 来增加电荷载流子密度（电子掺杂）。研究发现，LaOBiS 和 ThOBiS 母体化合物均为不良金属，而通过电子掺杂可诱导超导电性，其 \emph{T} 值高达 2.85 K。我们通过电阻率、磁化率和热容测量表征了超导态和正常态。我们还证明了通过用二价 Sr 取代 La 来降低电荷载流子密度（空穴掺杂）并不能诱导超导电性。
引用
@article{arxiv.1303.6216,
title = {Superconductivity induced by electron doping in the system La1-xMxOBiS2 (M = Ti, Zr, Hf, Th)},
author = {D. Yazici and K. Huang and B. D. White and I. Jeon and V. W. Burnett and A. J. Friedman and I. K. Lum and M. Nallaiyan and S. Spagna and M. B. Maple},
journal= {arXiv preprint arXiv:1303.6216},
year = {2013}
}
备注
7 pages, 13 figures