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新型 BiS2 基 Sr1-xLaxFBiS2 体系的电子相图

超导电性 2014-02-13 v2

摘要

本文通过 X 射线衍射、电输运、磁化率和霍尔效应测量等多种技术,系统研究了新型 BiS2 基体系 Sr1-xLaxFBiS2 (0<x<0.70<x<0.7) 中的电子掺杂效应。发现母体化合物 SrFBiS2 具有类半导体基态,热激活能 Eg=38E_g=38 meV。通过用 La 部分取代 Sr,当 x>0.3x > 0.3 时出现超导性,并在 x=0.55x=0.55 时达到最大超导转变温度 Tc=3.5T_c=3.5 K。在超导样品的正常态中,可以清楚地看到在温度 TminT_{min} 以下存在从金属态到半导体态的交叉,且 TminT_{min} 随 La 含量增加而向低温移动。基于这些测量,建立了 Sr1-xLaxFBiS2 体系相关的电子相图。

关键词

引用

@article{arxiv.1310.1695,
  title  = {Electronic phase diagram in the new BiS2-based Sr1-xLaxFBiS2 system},
  author = {Yuke Li and Xi Lin and Lin Li and Nan Zhou and Xiaofeng Xu and Chao Cao and Jianhui Dai and Li Zhang and Yongkang Luo and Wenhe Jiao and Qian Tao and Guanghan Cao and Zhuan Xu},
  journal= {arXiv preprint arXiv:1310.1695},
  year   = {2014}
}

备注

10 pages, 6 figures