Ag 掺杂抑制层状 Bi4O4S3 的超导电性
超导电性
2013-01-09 v1 材料科学
摘要
我们报道了新型层状超导体 Bi4-xAgxO4S3 (0<x<0.2) 多晶样品的 X 射线衍射、磁化和输运测量结果。超导转变温度 (TC) 逐渐降低，并在 x>0.10 时最终被抑制。相应地，电阻率从 x<0.1 时的金属行为转变为 x>0.1 时的类半导体行为。塞贝克系数的分析表明，有两种类型的类电子载流子在不同温度区域占主导地位，表明多带效应负责其输运性质。超导电性的抑制和电阻率的增加可归因于掺杂导致费米能级向低能侧移动，从而降低了 EF 处的态密度。此外，我们的结果表明母体 Bi4O4S3 中的超导电性是内禀的，且掺杂剂 Ag 倾向于进入 BiS2 层，这可能会从根本上改变电子结构。
引用
@article{arxiv.1208.5307,
title = {Suppression of superconductivity in layered Bi4O4S3 by Ag doping},
author = {S. G. Tan and P. Tong and Y. Liu and W. J. Lu and L. J. Li and B. C. Zhao and Y. P. Sun},
journal= {arXiv preprint arXiv:1208.5307},
year = {2013}
}
备注
6 pages, 6 figures