Mo$_5$Si$_3$中位点选择性砷掺杂诱导的超导电性
超导电性
2022-10-03 v1 材料科学
摘要
与磷掺杂相比，硅化物中的砷掺杂研究甚少。本研究通过在 MoSi 中进行 As 掺杂成功诱导了超导电性。超导转变温度（）达到 7.7 K，高于此前已知的 WSi 型超导体。MoSiAs 是一类 II 型 BCS 超导体，其上限和下限临界场分别为 6.65 T 和 22.4 mT。此外，发现 As 原子在 MoSiAs 中选择性占据 8 位点。比热测量和第一性原理计算表明，超导电性的出现可能源于 As 掺杂导致的费米能级移动。我们的工作不仅提供了又一个砷掺杂的实例，也给出了一种通过费米能级工程在硅化物中实现超导的实用策略。
引用
@article{arxiv.2209.15231,
title = {Superconductivity Induced by Site-Selective Arsenic Doping in Mo$_5$Si$_3$},
author = {Bin-Bin Ruan and Jun-Nan Sun and Meng-Hu Zhou and Qing-Song Yang and Ya-Dong Gu and Gen-Fu Chen and Lei Shan and Zhi-An Ren},
journal= {arXiv preprint arXiv:2209.15231},
year = {2022}
}
备注
Supporting Information available at the corresponding DOI