通过直接掺杂和氧化还原层掺杂在 pnictides 中的超导机制
超导电性
2015-06-05 v2
摘要
本文通过在超导 FeAs 层以及电荷库 REO 层中的直接掺杂，讨论了 pnictides 中的超导机制。未掺杂的 SmFeAsO 是电荷中性的自旋密度波（SDW）化合物，在 150 K 以下具有磁有序。超导 FeAs 层在 Fe 位点掺杂了 Co 和 Ni，而 REO 层在 O 位点掺杂了 F。通过 Co 对 SmFeAsO 进行电子掺杂导致超导性，其转变温度（Tc）最高可达 15 K，而 F 掺杂使 SmFeAsO 的 Tc 高达 47 K。所有这些 REFe/Co/NiAsO/F 化合物均与 ZrCuSiAs 结构同构。样品结晶为空间群 P4/nmm 的四方结构。Tc 随不同掺杂路径的变化显示了该结构的多样性以及超导发生机制的多样性。看来，在氧化还原层中掺杂比在超导 FeAs 层中直接掺杂更为有效。
引用
@article{arxiv.1205.4557,
title = {Superconducting Mechanism through direct and redox layer doping in Pnictides},
author = {Shiva Kumar Singh and M. Husain and H. Kishan and V. P. S. Awana},
journal= {arXiv preprint arXiv:1205.4557},
year = {2015}
}
备注
4 Pages text + Figs: ([email protected])