空穴掺杂 (Sr$_{1-x}$K$_x$)Fe$_2$As$_2$ 中的超导电性

通过固相反应法合成了一系列标称 x=0 至 0.40 的层状 (Sr$_{1-x}$K$_x$)Fe$_2$As$_2$ 化合物。与其他铁基 pnictide 超导体母体化合物类似，纯 SrFe$_2$As$_2$ 在 210 K 附近显示出强烈的电阻率异常，这归因于自旋密度波不稳定性。该异常温度远高于在具有 ZrCuSiAs 型和 ThCr$_2$Si$_2$ 型结构的两个原型母体化合物 LaOFeAs 和 BaFe$_2$As$_2$ 中观测到的温度。K 掺杂强烈抑制了这种异常并诱导了超导电性。类似于 K 掺杂 BaFe$_2$As$_2$ 的情况，观测到了 T$_c\sim$38 K 的尖锐超导转变。我们进行了霍尔系数测量，确认主导载流子为空穴型。与 F 掺杂 LaOFeAs 超导体相比，载流子密度提高了 3 倍。