Se 掺杂对新发现层状 Bi4O4S3 超导体的影响
超导电性
2014-03-05 v2 强关联电子
摘要
我们报道了在 Bi4O4S3 化合物中通过 S 位点 Se 掺杂对超导性的抑制作用。块体多晶样品通过固相反应路线合成。所有研究样品的 XRD 数据 Rietveld 精修表明，它们结晶于四方 I4/mmm 空间群，且随着 Se 掺杂，c 晶格常数略有增加。在所有 Bi4O4S3-xSex (x = 0, 0.03, 0.09 和 0.15) 样品的直流磁化强度和电阻率随温度测量中，均观察到低于 4.5 K 的超导性，尽管随着 Se 含量的增加，超导性略有下降。Bi4O4S3 的上临界场是通过高达 2T (Tesla) 磁场下的电阻率 [R(T)H] 测量估算的，对于 Se 掺杂样品，该值有所下降。通过拟合 Arrhenius 方程获得的磁通流动激活能在 200 Oe 外加磁场下分别为：Bi4O4S3 为 18.60 meV，Bi4O4S2.97Se0.03 为 13.69 meV，Bi4O4S2.85Se0.15 为 13.16 meV。总之，S 位点的 Se 取代对 Bi4O4S3 的超导性显示出有害影响。
引用
@article{arxiv.1311.0161,
title = {Effect of Se doping in recently discovered layered Bi4O4S3 Superconductor},
author = {Rajveer Jha and V. P. S. Awana},
journal= {arXiv preprint arXiv:1311.0161},
year = {2014}
}
备注
9 pages text + Figs