La2O2M4S6 型层状氧硫化合物 La2O2Bi3Ag0.6Sn0.4S5.7Se0.3 中的体超导性
超导电性
2019-09-23 v3
摘要
最近，我们报道了在 La2O2M4S6 型（M：金属）层状氧硫化合物 La2O2Bi3AgS6 中观测到约 0.5 K 的超导性，该层状化合物与 BiS2 基超导体系相关，但具有更厚的 Bi3AgS6 型导电层。在本研究中，我们通过元素替代来开发 La2O2Bi3AgS6 型材料，以提高转变温度 (Tc) 并诱导体超导性质。La2O2Bi3AgS6 在 180 K 观测到的电阻异常通过 Sn 替代 Ag 位被系统性抑制。随着 Sn 替代，Tc 升高，由磁化测量估算的屏蔽体积分数也增大。La2O2Bi3Ag0.6Sn0.4S6 观察到最高 Tc (= 2.3 K) 和最高屏蔽体积分数（~20%）。通过 Se 替代 S 位，超导性质进一步改善。通过 Sn 和 Se 的组合替代，获得了 Tc 为 3.0 K（Tconset = 3.6 K）的体超导相 La2O2Bi3Ag0.6Sn0.4S5.7Se0.3。
引用
@article{arxiv.1810.08404,
title = {Bulk superconductivity in La2O2M4S6-type layered oxychalcogenide La2O2Bi3Ag0.6Sn0.4S5.7Se0.3},
author = {Rajveer Jha and Yosuke Goto and Tatsuma D. Matsuda and Yuji Aoki and Masanori Nagao and Isao Tanaka and Yoshikazu Mizuguchi},
journal= {arXiv preprint arXiv:1810.08404},
year = {2019}
}
备注
18 Pages, 8 figures. The title has been changed from "Sn substitution effect on the superconductivity of layered oxychalcogenide La2O2Bi3Ag1-xSnxS6". Two authors have been added