新型 BiS2 基超导体 PrO0.5F0.5BiS2 的合成与超导电性
超导电性
2013-03-08 v3
摘要
我们报道了 PrO0.5F0.5BiS2 的合成及其在 3.7 K 的超导电性。该新发现的材料属于具有 ZrCuSiAs 型结构的层状硫化物基 REO0.5F0.5BiS2 化合物。块体多晶样品采用真空封装技术在 780°C 下一步合成。详细的结构分析表明，合成的 PrO0.5F0.5BiS2 结晶为四方晶系 P4/nmm 空间群，晶格参数为 a = 4.015(5) {\AA}，c = 13.362(4) {\AA}。磁学和输运测量观察到 PrO0.5F0.5BiS2 在 4 K 以下存在块体超导电性。电输运测量显示超导转变起始温度 (Tc) 为 3.7 K，零电阻转变温度 Tc ({\rho}=0) 为 3.1 K。比热测量中未观察到与超导转变相关的 Tc 处的隆起，而是在 ~6 K 以下观察到肖特基型反常。该化合物在正常态下略显半导体特性。等温磁化 (MH) 表现出典型的 II 型行为，下临界场 (Hc1) 约为 8 Oe。
引用
@article{arxiv.1208.5873,
title = {Synthesis and superconductivity of new BiS2 based superconductor PrO0.5F0.5BiS2},
author = {Rajveer Jha and Anuj Kumar and Shiva Kumar Singh and V. P. S. Awana},
journal= {arXiv preprint arXiv:1208.5873},
year = {2013}
}
备注
Short note 10 pages text+figs. First report on PrO.5F.5BiS2 Sup