新型 BiS2 基 layered LaO0.5F0.5BiS2 中超导性的出现
超导电性
2015-06-05 v4 强关联电子
摘要
我们报道了新型 BiS2 基层状 LaO0.5F0.5BiS2 超导体的合成、结构、直流磁化率和输运研究 [1]。样品通过传统固相法经真空封装技术在 800oC 下合成 12 小时。LaO0.5F0.5BiS2 结晶于四方 P4/nmm 空间群，晶格参数为 a = 4.0703(5){\AA}, c = 13.3902(4){\AA}。直流磁化测量确认了其体超导性，超导转变温度 (Tc) 为 2.7K。等温磁化 (MH) 测量显示出闭合回线，具有明显的磁通钉扎和不可逆行为特征。电阻率测量确认起始 Tc 为 2.7K。磁输运 {\rho}(T,H) 测量显示，随着磁场增加，电阻展宽且 Tc ({\rho}=0) 降低至更低温度。确定了涉及上临界场和不可逆场随温度变化的磁相图。我们的直流磁化和电输运测量证实了 LaO0.5F0.5BiS2 超导体中体超导性的出现。
引用
@article{arxiv.1207.6845,
title = {Appearance of superconductivity in new BiS2 based layered LaO0.5F0.5BiS2},
author = {V. P. S. Awana and Anuj Kumar and Rajveer Jha and Shiva Kumar and Anand Pal and Shruti and J. Saha and S. Patnaik},
journal= {arXiv preprint arXiv:1207.6845},
year = {2015}
}
备注
11 pages figures + Text: First observation/approval of LaO/FBiS2 superconductivity: comments/suggestions: [email protected]