高压技术制备的 LaO1-xFxBiS2 中超导性的演化
超导电性
2013-02-07 v1
摘要
系统研究了采用高压合成技术制备的新型 BiS2 基超导体 LaO1-xFxBiS2。研究发现，与常压常规固相反应制备的 LaO1-xFxBiS2 样品相比，高压退火显著影响了晶格。在较宽的 F 浓度范围（x = 0.2 ~ 0.7）内观察到了体超导性。基于这些结果，我们建立了 LaO1-xFxBiS2 的相图。
引用
@article{arxiv.1209.3846,
title = {Evolution of superconductivity in LaO1-xFxBiS2 prepared by high pressure technique},
author = {K. Deguchi and Y. Mizuguchi and S. Demura and H. Hara and T. Watanabe and S. J. Denholme and M. Fujioka and H. Okazaki and T. Ozaki and H. Takeya and T. Yamaguchi and O. Miura and Y. Takano},
journal= {arXiv preprint arXiv:1209.3846},
year = {2013}
}
备注
11 pages, 6 figures