F 掺杂 LaO1-xFxBiSSe 中增强的超导电性
超导电性
2014-05-01 v1
摘要
通过两步固态反应法成功合成了层状化合物 LaOBiSSe，粉末 X 射线衍射表征表明其与四元化合物 LaOBiS2 同构，且 Se 原子的取代使晶格参数略有膨胀。电输运测量显示，LaOBiSSe 表现出与母体化合物 LaOBiS2 类似的半导体行为，而通过 F 掺杂，样品只需少量 F 即可更容易地在低温下转变为金属态并呈现超导电性。在 F 的最佳载流子掺杂浓度（~0.5）下，LaO0.5F0.5BiSSe 的超导临界温度明显提升至 3.8 K，高于 LaO0.5F0.5BiS2 的 3.2 K。
引用
@article{arxiv.1404.7562,
title = {Enhanced superconductivity in F-doped LaO1-xFxBiSSe},
author = {Xiao-Chuan Wang and Dong-Yun Chen and Qi Guo and Jia Yu and Bin-Bin Ruan and Qing-Ge Mu and Gen-Fu Chen and Zhi-An Ren},
journal= {arXiv preprint arXiv:1404.7562},
year = {2014}
}