La掺杂EuBiS2F中压力增强的超导电性达10 K
超导电性
2015-10-28 v3
摘要
通过固相反应合成了多晶Eu0.5La0.5BiS2F，其结晶为四方CeOBiS2结构(P4/nmm)。我们在此报道Eu0.5La0.5BiS2F中Tc增强至2.2 K（通过对Tc约0.3 K的EuBiS2F进行电子掺杂）。Eu0.5La0.5BiS2F在降至3 K时呈半导性，并在常压下于2.2 K观察到超导起始。施加压力后Tc可增强至10 K。在中等压力(0.5 - 1 GPa)下的电阻曲线中观察到台阶状特征，暗示可能存在具有不同Tc的两相。在高于1.38 GPa的压力下，Tc^{onset}保持在10 K不变，但Tc(ρ=0)增至8.2 K以上。通过施加压力可能存在从低Tc相到高Tc相的转变。
引用
@article{arxiv.1504.08088,
title = {Pressure enhanced superconductivity at 10 K in La doped EuBiS2F},
author = {Gohil S. Thakur and Rajveer Jha and Zeba Haque and V. P. S. Awana and L. C. Gupta and A. K. Ganguli},
journal= {arXiv preprint arXiv:1504.08088},
year = {2015}
}
备注
Accepted in Supercond. Sci. Technol. (Sept 2015)