Ag 掺杂 Bi2Se3 拓扑绝缘体的电子输运研究
强关联电子
2023-03-02 v1 材料科学
摘要
本文给出了 Ag 掺杂 Bi2Se3 单晶的结构、磁输运与角分辨光电子能谱（ARPES）结果。温度依赖电阻率表现出金属性行为，Ag 掺杂 Bi2Se3 在 200 K 以上出现斜率变化。磁电阻在低场下呈现满足 Kohler 规则的二次正依赖关系。霍尔电阻率测量显示电子为优势载流子。此外，这些结果与 T = 20 K 下观测的 ARPES 谱吻合良好，其中费米能级位于体传导带内部。与原始 Bi2Se3 相比，Ag 掺杂样品的拓扑表面态狄拉克点移向更高结合能（~ 0.12 eV）。
引用
@article{arxiv.2303.00296,
title = {Electronic Transport Studies of Ag-doped Bi2Se3 Topological Insulator},
author = {Shailja Sharma and Shiv Kumar and Amit Kumar and Kenya Shimada and C. S. Yadav},
journal= {arXiv preprint arXiv:2303.00296},
year = {2023}
}
备注
8 pages, 7 figures