高掺杂拓扑绝缘体 Bi2Se3 晶体的结构与电子性质
材料科学
2012-12-07 v1
摘要
我们展示了一项关于通过 Bridgman 法合成的高掺杂拓扑绝缘体 Bi2Se3 单晶的结构和电子性质的研究。通过 X 射线衍射、扫描隧道显微镜和拉曼光谱进行的晶格结构表征证实了所生长单晶的高质量。角分辨光电子能谱直接揭示了电子能带结构中的拓扑表面态。输运测量表明，导电主要由体载流子主导，并证实了在此类高掺杂 Bi2Se3 样品中先前观察到的体量子霍尔效应。我们简要讨论了几种降低体电导的可能策略。
引用
@article{arxiv.1212.1354,
title = {Structural and electronic properties of highly doped topological insulator Bi2Se3 crystals},
author = {Helin Cao and Suyang Xu and Ireneusz Miotkowski and Jifa Tian and Deepak Pandey and M. Zahid Hasan and Yong P. Chen},
journal= {arXiv preprint arXiv:1212.1354},
year = {2012}
}
备注
7 pages, 4 figures