超高迁移率Bi2Se3拓扑绝缘体晶体中的强表面散射
介观与纳米尺度物理
2010-06-02 v2 强关联电子
摘要
尽管在Bi2Se3的表面敏感测量中已经识别出拓扑非平庸表面态的证据，但一个重要的实验问题是，在体输运中未观察到任何信号。为了寻找此类态，我们研究了标称非掺杂的Bi2Se3单晶，其载流子密度接近10^16 cm^-3，迁移率非常高，超过2 m^2 V^-1 s^-1。对Shubnikov-de Haas振荡、霍尔效应和光学反射率的综合分析表明，即使在50 mK、低朗道能级填充因子以及量子极限下，测得的电输运也完全可归因于体态。表面态对体电导没有显著贡献，这表明即使在非常干净的样品中，尽管存在拓扑保护，表面迁移率仍低于体迁移率。
引用
@article{arxiv.1003.2382,
title = {Strong surface scattering in ultrahigh mobility Bi2Se3 topological insulator crystals},
author = {Nicholas P. Butch and Kevin Kirshenbaum and Paul Syers and Andrei B. Sushkov and Gregory S. Jenkins and H. Dennis Drew and Johnpierre Paglione},
journal= {arXiv preprint arXiv:1003.2382},
year = {2010}
}
备注
4 pgs, 4 figs; title changed, minor text revision, references updated