趋近二维极限的硒化铋薄膜的体相输运性质
材料科学
2018-03-20 v1
摘要
我们研究了使用磁控溅射生长的拓扑绝缘体 Bi2Se3 薄膜的输运性质，重点关注随厚度变化的行为。我们表明，随着趋近二维极限，厚度对输运的各个方面都有强烈影响。体电阻率和 Hall 迁移率在 6 个五重层以下表现出不成比例的巨大变化，我们将其直接与少层 Bi2Se3 体带隙的增加相关联，这一效应与表面带隙开启相伴发生。在超薄 Bi2Se3 的温度依赖性电阻率测量中，从金属到绝缘体行为的交叉趋势，也与体带隙的增加以及薄膜-衬底界面处增强的无序相一致。我们的工作强调了少层 Bi2Se3 的性质是可调的，这对于光电子学、纳米电子学和自旋电子学等领域的各种器件应用可能具有吸引力。
引用
@article{arxiv.1803.06593,
title = {Bulk transport properties of Bismuth selenide thin films approaching the two-dimensional limit},
author = {Yub Raj Sapkota and Dipanjan Mazumdar},
journal= {arXiv preprint arXiv:1803.06593},
year = {2018}
}
备注
13 pages, 4 figures